Pencarian

CXMT Terapkan Material Baru untuk DRAM, Siap Genjot Produksi Chip 14nm

Senin, 31 Agustus 2026 • 07:43:01 WIB
CXMT Terapkan Material Baru untuk DRAM, Siap Genjot Produksi Chip 14nm
CXMT mengintegrasikan teknologi HKMG pada proses G4 DRAM untuk menekan kebocoran arus listrik.

Mengapa Material Baru Ini Krusial?

JAWA BARAT — Dalam transistor DRAM konvensional, silikon dioksida (SiO2) berperan sebagai lapisan isolator untuk mengatur aliran listrik. Permasalahannya, ketika ukuran transistor terus diperkecil, lapisan isolator ini harus dibuat semakin tipis. Akibatnya, arus listrik menjadi lebih mudah bocor, yang berujung pada peningkatan konsumsi daya dan panas berlebih pada chip.

HKMG hadir sebagai solusi. Teknologi ini mengganti silikon dioksida dengan material high-k seperti hafnium oxide (HfO2). Material ini memungkinkan lapisan isolator dibuat lebih tebal secara fisik, namun tetap mempertahankan kemampuan kontrol listrik yang setara dengan lapisan tipis. Hasilnya, kebocoran arus dapat ditekan secara signifikan meskipun ukuran transistor semakin mengecil.

Selain mengganti isolator, HKMG juga mengadopsi gerbang logam (metal gate) sebagai pengganti polysilicon. Gerbang logam ini membantu mengurangi degradasi efisiensi dan memberikan kontrol karakteristik listrik transistor yang lebih presisi. Kombinasi kedua material tersebut menjadi kunci utama untuk menjaga performa chip di tengah tren miniaturisasi.

Jalur Produk dan Target Pasar

Penerapan teknologi HKMG kabarnya sudah masuk ke dalam proses G4 DRAM milik CXMT yang dipercaya menggunakan node 1z (15nm). Teknologi serupa juga mulai diintegrasikan pada lini produk LPDDR5X. Ini menandakan bahwa CXMT tidak hanya berfokus pada DRAM untuk server, tetapi juga menargetkan pasar perangkat mobile yang membutuhkan memori berdaya rendah.

Jika pengembangan berjalan mulus, adopsi HKMG di proses G4 akan menjadi batu loncatan bagi CXMT untuk melompat ke node 1a yang lebih kecil. Dengan begitu, kepadatan memori per chip bisa ditingkatkan, memungkinkan kapasitas lebih besar dengan biaya produksi yang lebih efisien per gigabyte-nya.

Agresif Kejar Ketertinggalan

CXMT memang tengah mengebut pengembangan lini produknya untuk bersaing di kancah global. Perusahaan ini dilaporkan sudah memasuki tahap produksi HBM2E dan mulai melakukan sampling untuk HBM3 menggunakan proses G4. Selain itu, mereka juga telah menyelesaikan tahap verifikasi R&D untuk chip DDR6, yang menjadi standar memori generasi berikutnya.

Langkah agresif ini menjadi sinyal kuat bahwa CXMT serius ingin merebut pangsa pasar dari pemain dominan. Bagi pelaku bisnis dan investor, perkembangan ini penting untuk dipantau karena berpotensi mengubah peta persaingan industri semikonduktor global, yang pada akhirnya akan mempengaruhi harga dan pasokan memori di pasar, termasuk di Indonesia.

Follow jabarklik.com

Add this site to your preferred sources on Google

Add to preferred sources
Bagikan
Sumber: jagatreview.com

This article was automatically rewritten by AI based on the source above without altering the facts of the original article.

Berita Lainnya

Indeks

Pilihan

Indeks

Berita Terkini

Indeks